Силициев монокристал за микроелектрониката
| Тип на проводимост | Р ТИП (БОР) |
| Ориентация | 100 и 111 ±2° |
| Съдържание на въглерод | Под 2.5х1016 at.cm3 |
| Съдържание на кислород | Под 1х1018 at.cm3 |
| Съпротивление | 0,05 ÷ 45 ± 20% Ω/см |
| Форма | Цилиндър шлайфан |
| Диаметър | 76,2 мм, 100 мм, 125 мм, 150 мм |