Силициев монокристал за микроелектрониката

Тип на проводимост Р ТИП (БОР)
Ориентация 100 и 111 ±2°
Съдържание на въглерод Под 2.5х1016 at.cm3
Съдържание на кислород Под 1х1018 at.cm3
Съпротивление 0,05 ÷ 45 ± 20% Ω/см
Форма Цилиндър шлайфан
Диаметър 76,2 мм, 100 мм, 125 мм, 150 мм