Силициев монокристал за микроелектрониката
Тип на проводимост | Р ТИП (БОР) |
Ориентация | 100 и 111 ±2° |
Съдържание на въглерод | Под 2.5х1016 at.cm3 |
Съдържание на кислород | Под 1х1018 at.cm3 |
Съпротивление | 0,05 ÷ 45 ± 20% Ω/см |
Форма | Цилиндър шлайфан |
Диаметър | 76,2 мм, 100 мм, 125 мм, 150 мм |